WO2025093186 - VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES WAFERS MIT EINEM ABSTANDSHALTER

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Publication Number WO/2025/093186
Publication Date 08.05.2025
International Application No. PCT/EP2024/075959
International Filing Date 17.09.2024
Title [German] VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES WAFERS MIT EINEM ABSTANDSHALTER [English] METHOD FOR PRODUCING A WAFER HAVING A SPACER [French] PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE TRANCHE AYANT UN ESPACEUR
Applicants ** ROBERT BOSCH GMBH Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart, DE
Inventors ** TOMASCHKO, Jochen Marksuhler Ring 48 71126 Gaeufelden, DE PRITSCHOW, Marcus Liststrasse 8 72622 Nuertingen, DE SCHULER, Raphael Gartenstrasse 48 72074 Tuebingen, DE
Priority Data 102023210920.4  03.11.2023  DE
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Japan Filing 569
South Korea Filing 579
USA Filing, Examination 2635
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Abstract [German] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Wafers (100) mit einem Abstandshalter (150) zum Schutz einer zu schützenden Oberfläche (110) mit einem Bereitstellen eines gekoppelten Wafers (101) umfassend einen SOI-Wafer (140) und einen mit diesem verbundenen Funktionswafer (120), wobei der SOI-Wafer (140) einen Handlewafer (146), eine Funktionsschicht (142) mit ersten Strukturen (143a, 143b) und eine zwischen Handlewafer (146) und Funktionsschicht (142) angeordnete Siliziumdioxidschicht (144) und der Funktionswafer (120) zweite Strukturen (120a, 120b) aufweist, und einem Erzeugen (340) des Abstandshalters (150) durch ein bereichsweises Entfernen des Handlewafers (146) und der Siliziumdioxidschicht (144), wodurch die zu schützende Oberfläche (110) freigelegt wird. [English] The invention relates to a method for producing a wafer (100) having a spacer (150) in order to protect a surface (110) to be protected, having the steps of providing a coupled wafer (101) comprising an SOI wafer (140) and a functional wafer (120) connected thereto, wherein the SOI wafer (140) has a handle wafer (146), a functional layer (142) with first structures (143a, 143b), and a silicon dioxide layer (144) arranged between the handle wafer (146) and the functional layer (142), and the functional wafer (120) has second structures (120a, 120b); and producing (340) the spacer (150) by removing regions of the handle wafer (146) and the silicon dioxide layer (144), whereby the surface (110) to be protected is exposed. [French] L'invention se rapporte à un procédé de production d'une tranche (100) ayant un espaceur (150) afin de protéger une surface (110) à protéger, comprenant les étapes consistant à fournir une tranche couplée (101) comprenant une tranche SOI (140) et une tranche fonctionnelle (120) connectée à celle-ci, la tranche SOI (140) ayant une tranche de poignée (146), une couche fonctionnelle (142) avec des premières structures (143a, 143b), et une couche de dioxyde de silicium (144) agencée entre la tranche de poignée (146) et la couche fonctionnelle (142), et la tranche fonctionnelle (120) ayant des secondes structures (120a, 120b) ; et produire (340) l'espaceur (150) par élimination de régions de la tranche de poignée (146) et de la couche de dioxyde de silicium (144), moyennant quoi la surface (110) à protéger est exposée.