WO2023084283 - EPITAXIAL OXIDE MATERIALS, STRUCTURES, AND DEVICES

National phase entry:
Publication Number WO/2023/084283
Publication Date 19.05.2023
International Application No. PCT/IB2021/060466
International Filing Date 11.11.2021
Title [English] EPITAXIAL OXIDE MATERIALS, STRUCTURES, AND DEVICES [French] MATÉRIAUX D'OXYDE ÉPITAXIAL, STRUCTURES ET DISPOSITIFS
Applicants ** SILANNA UV TECHNOLOGIES PTE LTD 10 Collyer Quay #10-01 Ocean Financial Centre Singapore 049315, SG
Inventors ** ATANACKOVIC, Petar 37 Brandl Street Eight Mile Plains, Queensland 4113, AU
Priority Data PCT/IB2021/060413  10.11.2021  IB PCT/IB2021/060414  10.11.2021  IB PCT/IB2021/060427  10.11.2021  IB
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Country Stages Total
China Filing 8692
EPO Filing, Examination 54956
Japan Filing 565
South Korea Filing 646
USA Filing, Examination 34835
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Total: 99694
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Abstract [English] A semiconductor structure can include two or more epitaxial oxide materials with different properties, such as compositions, crystal symmetries, or bandgaps. The semiconductor structures can comprise one or more epitaxial oxide layers formed on a compatible substrate with in-plane lattice parameters and atomic positions that provide a suitable template for the growth of the epitaxial oxide materials. One or more of the epitaxial oxide materials can be strained. One or more of the epitaxial oxide materials can be doped n- or p-type. The semiconductor structure can comprise a superlattice with epitaxial oxide materials. The semiconductor structure can comprise a chirp layer with epitaxial oxide materials. The semiconductor structures can be a portion of a semiconductor device, such as an optoelectronic device, a light emitting diode, a laser diode, a photodetector, a solar cell, a high-power diode, a high-power transistor, a transducer, or a high electron mobility transistor. [French] L'invention concerne une structure semi-conductrice pouvant comprendre deux matériaux d'oxyde épitaxial ou plus présentant des propriétés différentes, telles que des compositions, des symétries cristallines ou des bandes interdites. Les structures semi-conductrices peuvent comprendre une ou plusieurs couches d'oxyde épitaxial formées sur un substrat compatible avec des paramètres de réseau dans le plan et des positions atomiques qui fournissent un gabarit approprié pour la croissance des matériaux d'oxyde épitaxial. Un ou plusieurs des matériaux d'oxyde épitaxial peuvent être contraints. Un ou plusieurs des matériaux d'oxyde épitaxial peuvent être de type n ou p dopé. La structure semi-conductrice peut comprendre un super-réseau avec des matériaux d'oxyde épitaxial. La structure semi-conductrice peut comprendre une couche de fluctuation de longueur d'onde avec des matériaux d'oxyde épitaxial. Les structures semi-conductrices peuvent être une partie d'un dispositif semi-conducteur, tel qu'un dispositif optoélectronique, une diode électroluminescente, une diode laser, un photodétecteur, une cellule solaire, une diode haute puissance, un transistor haute puissance, un transducteur ou un transistor à haute mobilité d'électrons.