Publication Number
WO/2024/201360
Publication Date
03.10.2024
International Application No.
PCT/IB2024/053017
International Filing Date
28.03.2024
Title
[English]
DIAMOND-BASED POLISHING COMPOSITIONS WITH IMPROVED SILICON CARBIDE REMOVAL RATE
[French]
COMPOSITIONS DE POLISSAGE À BASE DE DIAMANT AYANT UN TAUX D'ÉLIMINATION DE CARBURE DE SILICIUM AMÉLIORÉ
Applicants **
DIAMOND INNOVATIONS, INC.
6325 Huntley Road
Worthington, Ohio 43085, US
Inventors **
DUMM, Tim
1185 Wedgewood Terrace
Westerville, Ohio 43082, US
MORITZ, Charles Erik
6563 Mingo Drive
Galena, Ohio 43021, US
DRASKOVIC, Thomas
254 W. Como Avenue
Columbus, Ohio 43202, US
Priority Data
63/455,629
30.03.2023
US
63/601,282
21.11.2023
US
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Application details
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Abstract
[English]
Provided is a polishing composition for polishing semiconductor wafer surfaces, including a surface-modified monocrystalline diamond with a D(50) particle size ranging from about 0.10 μm to about 1 μm; a vehicle selected from the group consisting of water-based vehicles, glycol-based vehicles, oil-based vehicles, and hydrocarbon-based vehicles; and optionally one or more additives. Further presented are associated methods for polishing semiconductor wafer surfaces.
[French]
L'invention concerne une composition de polissage pour polir des surfaces de tranche de semi-conducteur, comprenant un diamant monocristallin modifié en surface ayant une taille de particule D(50) allant d'environ 0,10 µm à environ 1 µm ; un excipient choisi dans le groupe constitué par des excipients à base d'eau, des excipients à base de glycol, des excipients à base d'huile et des excipients à base d'hydrocarbures ; et éventuellement un ou plusieurs additifs. L'invention concerne en outre des procédés associés pour polir des surfaces de tranche de semi-conducteur.